当前，电动汽车作为新能源汽车的最重要载体和代表，慢慢的变成为消费者选择的主流。

  电动汽车的销量提升对于终端消费市场的不断渗透，也带动了功率器件和模块需求的迅速增加，特别是对于MOSFET和IGBT(包括单管及模组)部分。

  据贝壳投研数据，2021年中国车规级IGBT市场规模为47.8亿元，预计到2025年，其将达到151.6亿元。另据芯谋研究数据，2021年和2025年中国车规MOSFET的市场规模分别约为73.5亿元和122.5亿元。

  电动汽车一般来说包括纯电动、插电混动、混动(中混和强混)等。在此类汽车上，电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC(车载充电器)等产品将依据各自的工作功率大小，选不一样的功率半导体器件。

  目前，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET均在电动汽车内有广泛使用。

  据半导体行业纵横数据，混动和纯电动汽车上功率半导体价值量分别占单车半导体总价值的40%和55%。另外据英飞凌统计数据，纯电动汽车半导体价值量预估在1000美元左右，而车载功率半导体则达到550-600美元左右。

  随着汽车对于电动化、高压化等需求的逐步渗透，整车动力电池电压平台逐渐从现有的400V升级到800V系统，以满足那群消费的人对电动汽车的长续航、快充等需求。这也对功率半导体的性能参数提出了更高的要求，因此中高压功率器件如SJ MOSFET、IGBT和碳化硅MOSFET将会在车端得到大量应用，且其单车价值量有望继续提升。

  我们可以预测，随着电动汽车销量稳健增长，最先获益的功率半导体有望是当前具代表性的器件硅基MOSFET、IGBT以及碳化硅。

  另外，根据汽车不同的系统应用，通常会选用不一样的规格的功率半导体分立器件和模块。而在众多种类中选型时，车载功率半导体成本和效率是最关键的两大要素。通常要考虑用合适的功率去匹配相对应的电压和电流，再结合系统效率和成本最终设计出一套最优方案。

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